MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 40 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines

Código de producto RS: 215-232Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCT040H120G3AG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

Type N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

H2PAK-7

Series

SCT

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Tensión directa Vf

2.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Temperatura Máxima de Operación

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101, RoHS

Longitud

15.25mm

Ancho

10.4 mm

Altura

4.8mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

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P.O.A.

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Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
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STMicroelectronics

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Type N

Tipo de producto

MOSFET

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40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

H2PAK-7

Series

SCT

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Tensión directa Vf

2.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Temperatura Máxima de Operación

175°C

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