MOSFET STMicroelectronics SCT027W65G3-4AG, VDSS 650 V, ID 60 A, HiP247-4 de 4 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
SCT
Tipo de Encapsulado
HiP247-4
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
País de Origen
China
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P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
30
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N
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