MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT027W65G3-4AG, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora de 4 pines

Código de producto RS: 215-228Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCT027W65G3-4AG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Series

SCT

Tipo de soporte

Through Hole

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

29mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Disipación de potencia máxima Pd

313W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-10 to 22 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Tensión directa Vf

3V

Temperatura Máxima de Operación

200°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

China

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P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT027W65G3-4AG, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora de 4 pines

30

Disponible en múltiplos de 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

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Disponible en múltiplos de 30
30P.O.A.
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210P.O.A.
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29mΩ

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313W

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Tensión directa Vf

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