MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines

Código de producto RS: 214-955Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCT027H65G3AG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Tipo de Encapsulado

H2PAK-7

Series

SCT

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

29mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48.6nC

Tensión directa Vf

2.9V

Temperatura máxima de funcionamiento

175°C

Ancho

10.4 mm

Altura

4.8mm

Largo

15.25mm

Certificaciones y estándares

RoHS, AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

China

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P.O.A.

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Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
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Surface

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29mΩ

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Enhancement

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22 V

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