MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 56 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines

Código de producto RS: 215-073PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCT025W120G3AG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

56A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

Hip-247

Series

SCT

Tipo de soporte

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Disipación de potencia máxima Pd

388W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Temperatura Máxima de Operación

200°C

Ancho

15.6 mm

Longitud

34.8mm

Altura

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

China

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P.O.A.

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 56 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
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Encapsulado

Hip-247

Series

SCT

Tipo de soporte

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Disipación de potencia máxima Pd

388W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Temperatura Máxima de Operación

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