MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT025W120G3AG, VDSS 1200 V, ID 56 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
56A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
Hip-247
Series
SCT
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
27mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
73nC
Disipación de potencia máxima Pd
388W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
200°C
Ancho
15.6 mm
Longitud
34.8mm
Altura
5mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
AEC-Q101
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
30
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
56A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
Hip-247
Series
SCT
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
27mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
73nC
Disipación de potencia máxima Pd
388W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
200°C
Ancho
15.6 mm
Longitud
34.8mm
Altura
5mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
AEC-Q101

