
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
56A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Tipo de Encapsulado
Hip-247-4
Serie
STPOWER Gen3 SiC MOSFET
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
37mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
73nC
Disipación de potencia máxima Pd
389W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Longitud:
35.9mm
Altura
5.15mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Volver a intentar más tarde
$ 394.950
$ 13.165 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 469.990
$ 15.666,35 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 394.950
$ 13.165 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 469.990
$ 15.666,35 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
30
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
56A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Tipo de Encapsulado
Hip-247-4
Serie
STPOWER Gen3 SiC MOSFET
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
37mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
73nC
Disipación de potencia máxima Pd
389W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Longitud:
35.9mm
Altura
5.15mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China