MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics SCT025W120G3-4, VDSS 1200 V, ID 56 A, Mejora, Hip-247-4 de 4 pines

Código de producto RS: 719-470Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCT025W120G3-4
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

56A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

Hip-247-4

Serie

SCT

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Disipación de potencia máxima Pd

388W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

2.7V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

175°C

Longitud:

15.9mm

Altura

25.27mm

País de Origen

China

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más
Ver todo en MOSFETs

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics SCT025W120G3-4, VDSS 1200 V, ID 56 A, Mejora, Hip-247-4 de 4 pines

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics SCT025W120G3-4, VDSS 1200 V, ID 56 A, Mejora, Hip-247-4 de 4 pines

Volver a intentar más tarde

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

56A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

Hip-247-4

Serie

SCT

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Disipación de potencia máxima Pd

388W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

2.7V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

175°C

Longitud:

15.9mm

Altura

25.27mm

País de Origen

China

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más