MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics SCT025W120G3-4, VDSS 1200 V, ID 56 A, Mejora, Hip-247-4 de 4 pines

Brand

Tipo de canal

Canal N

Tipo de Producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

56A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Series

SCT

Tipo de Encapsulado

Hip-247-4

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27mΩ

Modo de canal

Enhancement

Tensión directa Vf

2.7V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Disipación de potencia máxima Pd

388W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Ancho

5.1 mm

Longitud

15.9mm

Altura

25.27mm

País de Origen

China