MOSFET STMicroelectronics SCT025H120G3-7, VDSS 1200 V, ID 55 A, H2PAK-7

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
55A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
H2PAK-7
Series
SCT
Tipo de soporte
Surface
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
27mΩ
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Disipación de potencia máxima Pd
375W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
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1000
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
55A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Encapsulado
H2PAK-7
Series
SCT
Tipo de soporte
Surface
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
27mΩ
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Disipación de potencia máxima Pd
375W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China

