MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 100 A, Mejora de 4 pines

Código de producto RS: 215-070PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCT020W120G3-4AG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

Type N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Series

SCT

Tipo de soporte

Through Hole

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18.5mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Tensión directa Vf

3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

121nC

Disipación de potencia máxima Pd

541W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura Máxima de Operación

200°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

China

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P.O.A.

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 100 A, Mejora de 4 pines
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

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1

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SCT

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Through Hole

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4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18.5mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

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3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

121nC

Disipación de potencia máxima Pd

541W

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