MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics SCT018W65G3AG, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, HIP-247-3 de 3 pines

Brand

Tipo de Producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

55A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Tipo de Encapsulado

HIP-247-3

Series

SCT

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

398W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

76nC

Tensión directa Vf

2.6V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

200°C

Ancho

5.15 mm

Altura

20.15mm

Longitud

15.75mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

China