MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines

Código de producto RS: 215-226PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCT018H65G3AG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

55A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

H2PAK-7

Series

SCT

Tipo de soporte

Through Hole

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

79.4nC

Disipación de potencia máxima Pd

385W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Temperatura Máxima de Operación

75°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

China

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P.O.A.

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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Series

SCT

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Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

79.4nC

Disipación de potencia máxima Pd

385W

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22 V

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