MOSFET STMicroelectronics SCT018H65G3AG, VDSS 650 V, ID 55 A, H2PAK-7 de 7 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
55 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
SCT
Tipo de Encapsulado
H²PAK-7
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
7
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
País de Origen
China
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P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
1000
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N
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