MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics SCT012W90G3AG, VDSS 900 V, ID 110 A, Mejora, HIP-247-3 de 3 pines

Brand

Tipo de Producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

900V

Tipo de Encapsulado

HIP-247-3

Series

SCT

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

625W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

138nC

Tensión directa Vf

2.8V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

200°C

Ancho

5.15 mm

Altura

20.15mm

Longitud

15.75mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

China