Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
110A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
900V
Encapsulado
H2PAK-7
Serie
SCT
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
12mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
138nC
Disipación de potencia máxima Pd
625W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
2.8V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
15.25mm
Altura
4.8mm
Certificaciones y estándares
RoHS, AEC-Q101
Estándar de automoción
AEC-Q101
Volver a intentar más tarde
$ 68.292
$ 68.292 Each (Sin IVA)
$ 81.267
$ 81.267 Each (IVA Inc.)
1
$ 68.292
$ 68.292 Each (Sin IVA)
$ 81.267
$ 81.267 Each (IVA Inc.)
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1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 68.292 |
| 10+ | $ 61.472 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
110A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
900V
Encapsulado
H2PAK-7
Serie
SCT
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
12mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
138nC
Disipación de potencia máxima Pd
625W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
2.8V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
15.25mm
Altura
4.8mm
Certificaciones y estándares
RoHS, AEC-Q101
Estándar de automoción
AEC-Q101


