MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT012H90G3AG, VDSS 900 V, ID 110 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines

Código de producto RS: 215-220Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCT012H90G3AG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

900V

Encapsulado

H2PAK-7

Series

SCT

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

625W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

138nC

Tensión directa Vf

2.8V

Temperatura Máxima de Operación

175°C

Ancho

10.4 mm

Altura

4.8mm

Longitud

15.25mm

Certificaciones y estándares

RoHS, AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

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P.O.A.

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Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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7

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12mΩ

Modo de Canal

Enhancement

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625W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

138nC

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