MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT012H90G3AG, VDSS 900 V, ID 110 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines

Código de producto RS: 215-220Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCT012H90G3AG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de canal

Type N

Tipo de Producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

900V

Tipo de Encapsulado

H2PAK-7

Series

SCT

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12mΩ

Modo de canal

Enhancement

Tensión directa Vf

2.8V

Disipación de potencia máxima Pd

625W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

138nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS, AEC-Q101

Ancho

10.4 mm

Altura

4.8mm

Longitud

15.25mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

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Series

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Surface

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7

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12mΩ

Modo de canal

Enhancement

Tensión directa Vf

2.8V

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625W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

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