Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
Dual N
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
95V
Encapsulado
LBB
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
5
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1Ω
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión máxima de la fuente de la puerta
10V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud:
28.95mm
Altura
2.1mm
Certificaciones y estándares
2002/95/EC
Ancho
5.85mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El FET LDMOS de 120 W de STMicroelectronics, diseñado para comunicaciones comerciales de banda ancha, radiodifusión de TV, aeronáutica y aplicaciones industriales con frecuencias de HF a 1,5 GHz. Se puede utilizar en clase AB/B y clase C para todos los formatos de modulación típicos.
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$ 207.459
$ 207.459 Each (Sin IVA)
$ 246.876
$ 246.876 Each (IVA Inc.)
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1
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Surface
Número de pines
5
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1Ω
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
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10V
Temperatura Máxima de Operación
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Longitud:
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Altura
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2002/95/EC
Ancho
5.85mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El FET LDMOS de 120 W de STMicroelectronics, diseñado para comunicaciones comerciales de banda ancha, radiodifusión de TV, aeronáutica y aplicaciones industriales con frecuencias de HF a 1,5 GHz. Se puede utilizar en clase AB/B y clase C para todos los formatos de modulación típicos.
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