Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
Dual N
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
95V
Encapsulado
LBB
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
5
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1Ω
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión máxima de la fuente de la puerta
10V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Largo
28.95mm
Altura
2.1mm
Certificaciones y estándares
2002/95/EC
Anchura
5.85mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El FET LDMOS de 120 W de STMicroelectronics, diseñado para comunicaciones comerciales de banda ancha, radiodifusión de TV, aeronáutica y aplicaciones industriales con frecuencias de HF a 1,5 GHz. Se puede utilizar en clase AB/B y clase C para todos los formatos de modulación típicos.
Volver a intentar más tarde
$ 20.609.300
$ 206.093 Each (On a Reel of 100) (Sin IVA)
$ 24.525.067
$ 245.250,67 Each (On a Reel of 100) (IVA Inc.)
100
$ 20.609.300
$ 206.093 Each (On a Reel of 100) (Sin IVA)
$ 24.525.067
$ 245.250,67 Each (On a Reel of 100) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
100
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
Dual N
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
95V
Encapsulado
LBB
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
5
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1Ω
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión máxima de la fuente de la puerta
10V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Largo
28.95mm
Altura
2.1mm
Certificaciones y estándares
2002/95/EC
Anchura
5.85mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El FET LDMOS de 120 W de STMicroelectronics, diseñado para comunicaciones comerciales de banda ancha, radiodifusión de TV, aeronáutica y aplicaciones industriales con frecuencias de HF a 1,5 GHz. Se puede utilizar en clase AB/B y clase C para todos los formatos de modulación típicos.