Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Tipo de Encapsulado
B-2
Serie
RF2L
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
2
Modo de canal
Enhancement
Temperatura Máxima de Operación
200°C
Configuración de transistor
Single
Longitud:
20.57mm
Altura
3.61mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ganancia de Potencia Típica
12.5dB
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El STMicroelectronics RF2L36075CF2 es un transistor LDMOS ajustado internamente de 75 W diseñado para estaciones base WCDMA/PCS/DCS/LTE multicarrier y aplicaciones de radar de banda S en el rango de frecuencia de 3,1 a 3,6 GHz. Se puede utilizar en clase AB, B o C para todos los formatos de modulación de estación base celular típicos.
Volver a intentar más tarde
$ 18.570.600
$ 154.755 Each (On a Reel of 120) (Sin IVA)
$ 22.099.014
$ 184.158,45 Each (On a Reel of 120) (IVA Inc.)
120
$ 18.570.600
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120
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STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Tipo de Encapsulado
B-2
Serie
RF2L
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
2
Modo de canal
Enhancement
Temperatura Máxima de Operación
200°C
Configuración de transistor
Single
Longitud:
20.57mm
Altura
3.61mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ganancia de Potencia Típica
12.5dB
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El STMicroelectronics RF2L36075CF2 es un transistor LDMOS ajustado internamente de 75 W diseñado para estaciones base WCDMA/PCS/DCS/LTE multicarrier y aplicaciones de radar de banda S en el rango de frecuencia de 3,1 a 3,6 GHz. Se puede utilizar en clase AB, B o C para todos los formatos de modulación de estación base celular típicos.