MOSFET STMicroelectronics PD85004, VDSS 40 V, ID 2 A, SOT-89 de 3 pines, config. Simple

Name: MOSFET STMicroelectronics PD85004, VDSS 40 V, ID 2 A, SOT-89 de 3 pines, config. Simple
Brand: STMicroelectronics
SKU: 8805355

Código de producto RS: 880-5355Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: PD85004

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

SOT-89

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.9V

Disipación de Potencia Máxima

6 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-0.5 V, +15 V

Anchura

2.6mm

Material del transistor

Número de Elementos por Chip

Largo

4.6mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

0.44mm

Ganancia de Potencia Típica

17 dB

Datos del producto

Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics

Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.9V

Disipación de Potencia Máxima

6 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-0.5 V, +15 V

Anchura

2.6mm

Material del transistor

Número de Elementos por Chip

Largo

4.6mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

0.44mm

Ganancia de Potencia Típica

17 dB

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Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.