Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
18 V
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
6 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-0.5 V, +15 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
4.6mm
Anchura
2.6mm
Material del transistor
Si
Altura
1.6mm
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Rollo)
5
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
18 V
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
6 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-0.5 V, +15 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
4.6mm
Anchura
2.6mm
Material del transistor
Si
Altura
1.6mm
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.


