MOSFET, N-Canal STMicroelectronics PD57060-E, VDSS 65 V, ID 7 A, Mejora, PowerSO-10RF de 10 pines

El transistor de potencia de RF de STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de RF de efecto de campo lateral lateral, de canal N y fuente común. Está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha y alta ganancia. Funciona a 28 V en modo fuente común a frecuencias de hasta 1 GHz. El dispositivo cuenta con la excelente ganancia, linealidad y fiabilidad de la última tecnología LDMOS de ST montada en el primer encapsulado de potencia RF de plástico SMD auténtico, PowerSO-10RF. El rendimiento de linealidad superior del dispositivo lo convierte en una solución ideal para aplicaciones de estación base. El encapsulado de plástico PowerSO-10, diseñado para ofrecer una alta fiabilidad, es el primer encapsulado SMD de alta potencia aprobado por ST JEDEC. Se ha optimizado especialmente para las necesidades de RF y ofrece excelentes prestaciones de RF y facilidad de montaje. Las recomendaciones de montaje están disponibles en www.st.com/rf/ (busque la nota de aplicación AN1294).

• Excelente estabilidad térmica
• Configuración de fuentes comunes
• Nuevo envase de plástico RF