Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Frecuencia de Funcionamiento
1 GHz
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5A
Potencia de Salida
15W
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Encapsulado
PowerSO
Series
LdmoST
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
10
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
65°C
Temperatura Máxima de Operación
165°C
Configuración de transistor
Single
Longitud
9.6mm
Certificaciones y estándares
JEDEC Approved
Ancho
9.5 mm
Altura
3.6mm
Estándar de automoción
No
Ganancia de Potencia Típica
14dB
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Frecuencia de Funcionamiento
1 GHz
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5A
Potencia de Salida
15W
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Encapsulado
PowerSO
Series
LdmoST
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
10
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
65°C
Temperatura Máxima de Operación
165°C
Configuración de transistor
Single
Longitud
9.6mm
Certificaciones y estándares
JEDEC Approved
Ancho
9.5 mm
Altura
3.6mm
Estándar de automoción
No
Ganancia de Potencia Típica
14dB
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.


