Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Frecuencia de Funcionamiento
1 GHz
Corriente continua máxima de drenaje ld
5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Potencia de Salida
15W
Tipo de Encapsulado
PowerSO
Series
LdmoST
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
10
Modo de canal
Enhancement
Mínima Temperatura de Funcionamiento
65°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
165°C
Configuración de transistor
Single
Ancho
9.5 mm
Altura
3.6mm
Longitud
9.6mm
Certificaciones y estándares
JEDEC Approved
Ganancia de Potencia Típica
14dB
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
P.O.A.
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Tubo)
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Frecuencia de Funcionamiento
1 GHz
Corriente continua máxima de drenaje ld
5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Potencia de Salida
15W
Tipo de Encapsulado
PowerSO
Series
LdmoST
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
10
Modo de canal
Enhancement
Mínima Temperatura de Funcionamiento
65°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
165°C
Configuración de transistor
Single
Ancho
9.5 mm
Altura
3.6mm
Longitud
9.6mm
Certificaciones y estándares
JEDEC Approved
Ganancia de Potencia Típica
14dB
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.


