Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Potencia de Salida
15W
Encapsulado
PowerSO
Serie
LdmoST
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
10
Modo de canal
Enhancement
Mínima Temperatura de Funcionamiento
65°C
Temperatura Máxima de Operación
165°C
Configuración de transistor
Single
Longitud
9.6mm
Altura
3.6mm
Certificaciones y estándares
JEDEC Approved
Ganancia de potencia típica
14dB
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 1.163.950
$ 23.279 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 1.385.100
$ 27.702,01 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
$ 1.163.950
$ 23.279 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 1.385.100
$ 27.702,01 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
50
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Potencia de Salida
15W
Encapsulado
PowerSO
Serie
LdmoST
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
10
Modo de canal
Enhancement
Mínima Temperatura de Funcionamiento
65°C
Temperatura Máxima de Operación
165°C
Configuración de transistor
Single
Longitud
9.6mm
Altura
3.6mm
Certificaciones y estándares
JEDEC Approved
Ganancia de potencia típica
14dB
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.


