MOSFET STMicroelectronics PD55015-E, VDSS 40 V, ID 5 A, PowerSO de 10 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 829-0627PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: PD55015-E
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

PowerSO

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

10

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

73000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

9.5mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

9.6mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+165 °C

Altura

3.6mm

Ganancia de Potencia Típica

14 dB

Datos del producto

Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics

Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

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N

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Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

10

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

73000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

9.5mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

9.6mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+165 °C

Altura

3.6mm

Ganancia de Potencia Típica

14 dB

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