Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Potencia de Salida
15W
Encapsulado
PowerSO
Serie
LdmoST
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
10
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura de Funcionamiento Mínima
65°C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
165°C
Configuración de transistor
Single
Longitud:
9.6mm
Altura
3.6mm
Certificaciones y estándares
JEDEC Approved
Ganancia de Potencia Típica
14dB
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Potencia de Salida
15W
Encapsulado
PowerSO
Serie
LdmoST
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
10
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura de Funcionamiento Mínima
65°C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
165°C
Configuración de transistor
Single
Longitud:
9.6mm
Altura
3.6mm
Certificaciones y estándares
JEDEC Approved
Ganancia de Potencia Típica
14dB
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.


