MOSFET RF, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 2.5 A, PowerFLAT, Mejora de 14 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
RF MOSFET
Frecuencia de Funcionamiento
500 MHz
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Encapsulado
PowerFLAT
Serie
PD55003L-E
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
14
Modo de canal
Mejora
Mínima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
-65°C
Configuración de transistor
Single
Profundidad
5 mm
Altura
0.88mm
Longitud
5mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ganancia de Potencia Típica
19dB
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
3000
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
RF MOSFET
Frecuencia de Funcionamiento
500 MHz
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Encapsulado
PowerFLAT
Serie
PD55003L-E
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
14
Modo de canal
Mejora
Mínima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
-65°C
Configuración de transistor
Single
Profundidad
5 mm
Altura
0.88mm
Longitud
5mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ganancia de Potencia Típica
19dB
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos