MOSFET RF, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 2.5 A, PowerFLAT, Mejora de 14 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de canal
Type N
Tipo de Producto
RF MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Encapsulado
PowerFLAT
Serie
PD55003L-E
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
14
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura de Funcionamiento Mínima
150°C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
-65°C
Configuración de transistor
Single
Longitud:
5mm
Altura
0.88mm
Certificaciones y estándares
No
Ganancia de Potencia Típica
19dB
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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P.O.A.
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3000
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RF MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
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40V
Encapsulado
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Serie
PD55003L-E
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
14
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura de Funcionamiento Mínima
150°C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
-65°C
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Single
Longitud:
5mm
Altura
0.88mm
Certificaciones y estándares
No
Ganancia de Potencia Típica
19dB
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No
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