Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
RF MOSFET
Tipo de Canal
N
Frecuencia de Funcionamiento
500MHz
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Encapsulado
PowerFLAT
Serie
PD55003L-E
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
14
Modo de canal
Enhancement
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150°C
Configuración de transistor
Single
Altura
0.88mm
Longitud:
5mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5mm
Ganancia de Potencia Típica
19dB
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
3000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
RF MOSFET
Tipo de Canal
N
Frecuencia de Funcionamiento
500MHz
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Encapsulado
PowerFLAT
Serie
PD55003L-E
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
14
Modo de canal
Enhancement
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150°C
Configuración de transistor
Single
Altura
0.88mm
Longitud:
5mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5mm
Ganancia de Potencia Típica
19dB
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.