Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
300 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
2,8 W
Ganancia Mínima de Corriente DC
30
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
300 V
Tensión Máxima Emisor-Base
3 V
Número de pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Datos del producto
Transistores de alta tensión, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Bag) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Bolsa)
10
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10
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Especificaciones
Brand
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NPN
Corriente DC Máxima del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
300 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de Montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
2,8 W
Ganancia Mínima de Corriente DC
30
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
300 V
Tensión Máxima Emisor-Base
3 V
Número de pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Datos del producto
Transistores de alta tensión, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.


