Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
40
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
2.4 x 6.6 x 6.2mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
40
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
2.4 x 6.6 x 6.2mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.