STMicroelectronics Transistor MJD31CT4 3 A 100 V NPN TO-252, 3 pines Simple

Código de producto RS: 686-7931PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: MJD31CT4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

Transistor

Corriente de colector DC máxima ldc

3A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

100V

Encapsulado

TO-252

Tipo de Montaje

Superficie

Configuración de transistor

Single

Tensión Colector-Base máxima VCBO

100V

Disipación de potencia máxima Pd

15W

Polaridad del transistor

NPN

Ganancia mínima de corriente DC hFE

10

Tensión Emisor-Base máxima VEBO

5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Frecuencia de transición máxima fT

250MHz

Número de pines

3

Temperatura de Funcionamiento Máxima

150°C

Anchura

10.1 mm

Altura

2.4mm

Largo

6.6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Series

MJD31C

Estándar de automoción

AEC-Q101

Datos del producto

Transistores de potencia NPN, ST Microelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

STMicroelectronics Transistor MJD31CT4 3 A 100 V NPN TO-252, 3 pines Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

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Configuración de transistor

Single

Tensión Colector-Base máxima VCBO

100V

Disipación de potencia máxima Pd

15W

Polaridad del transistor

NPN

Ganancia mínima de corriente DC hFE

10

Tensión Emisor-Base máxima VEBO

5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Frecuencia de transición máxima fT

250MHz

Número de pines

3

Temperatura de Funcionamiento Máxima

150°C

Anchura

10.1 mm

Altura

2.4mm

Largo

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Series

MJD31C

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Transistores de potencia NPN, ST Microelectronics

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A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

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