Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
3 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Número de pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
2.4 x 6.6 x 6.2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
P.O.A.
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20
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
3 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Número de pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
2.4 x 6.6 x 6.2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.


