Transistor Darlington, MJD122T4, NPN 16 A, 100 V, HFE:100, DPAK (TO-252), 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
16 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.01mA
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
6.6mm
Altura
2.4mm
Ancho
6.2mm
Dimensiones del Cuerpo
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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$ 17.520
$ 876 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
$ 20.849
$ 1.042,44 Each (In a Pack of 20) (IVA Inc.)
Estándar
20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 20 - 80 | $ 876 | $ 17.520 |
| 100 - 480 | $ 613 | $ 12.260 |
| 500 - 980 | $ 529 | $ 10.580 |
| 1000 - 2480 | $ 452 | $ 9.040 |
| 2500+ | $ 424 | $ 8.480 |
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Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
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Tipo de Montaje
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Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
4 V
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Temperatura Máxima de Operación
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Largo
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Altura
2.4mm
Ancho
6.2mm
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