STMicroelectronics Transistor Darlington 1 8 A 100 V NPN HFE:100, TO-252, 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
Transistor Darlington
Corriente continua máxima de colector Ic
8A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
100V
Encapsulado
TO-252
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia mínima de corriente DC hFE
100
Disipación de potencia máxima Pd
20W
Polaridad del transistor
NPN
Tensión Emisor-Base máxima VEBO
5V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2V
Tensión Colector-Base máxima VCBO
100V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
150°C
Anchura
6.2 mm
Altura
2.4mm
Largo
6.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Series
MJD122
Corriente de corte máxima de colector
0.01mA
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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$ 980.000
$ 392 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.166.200
$ 466,48 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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3
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1
Ganancia mínima de corriente DC hFE
100
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20W
Polaridad del transistor
NPN
Tensión Emisor-Base máxima VEBO
5V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65°C
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2V
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Temperatura de Funcionamiento Máxima
150°C
Anchura
6.2 mm
Altura
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Series
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Corriente de corte máxima de colector
0.01mA
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