
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Tipo N, Tipo P
Corriente continua máxima de drenaje ld
9.7A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Tipo de Encapsulado
QFN-9
Serie
MASTERG
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
31
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
220mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
2nC
Disipación de potencia máxima Pd
40mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125°C
Longitud
9mm
Altura
1mm
Certificaciones y estándares
RoHS, ECOPACK
Estándar de automoción
No
País de Origen
Thailand
Datos del producto
El microcontrolador de STMicroelectronics es un avanzado sistema de alimentación en paquete que integra un controlador de puerta y dos transistores GaN de modo de mejora en configuración de medio puente. Los GaN de potencia integrados tienen RDS(ON) de 150 mΩ, 650 V de tensión de bloqueo drenaje-fuente, mientras que el lado alto del controlador de puerta integrado puede ser alimentado fácilmente por el diodo bootstrap integrado.
Volver a intentar más tarde
$ 31.659.000
$ 10.553 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 37.674.210
$ 12.558,07 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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3000
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Tipo N, Tipo P
Corriente continua máxima de drenaje ld
9.7A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Tipo de Encapsulado
QFN-9
Serie
MASTERG
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
31
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
220mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
2nC
Disipación de potencia máxima Pd
40mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125°C
Longitud
9mm
Altura
1mm
Certificaciones y estándares
RoHS, ECOPACK
Estándar de automoción
No
País de Origen
Thailand
Datos del producto
El microcontrolador de STMicroelectronics es un avanzado sistema de alimentación en paquete que integra un controlador de puerta y dos transistores GaN de modo de mejora en configuración de medio puente. Los GaN de potencia integrados tienen RDS(ON) de 150 mΩ, 650 V de tensión de bloqueo drenaje-fuente, mientras que el lado alto del controlador de puerta integrado puede ser alimentado fácilmente por el diodo bootstrap integrado.