Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsConfiguración de diodo
Ánodo común
Tipo de Producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6.51V
Tipo de Montaje
Superficie
Tipo de Pack
SOIC
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
8
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
300W
Tensión de sujeción VC
12V
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
25A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
6
Temperatura Máxima de Operación
125°C
Altura
1.5mm
Largo
5mm
Certificaciones y estándares
No
Profundidad
4mm
Serie
ITAxxU1
Corriente de Fugas Inversa Máxima
10μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
P.O.A.
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5
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Brand
STMicroelectronicsConfiguración de diodo
Ánodo común
Tipo de Producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6.51V
Tipo de Montaje
Superficie
Tipo de Pack
SOIC
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
8
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
300W
Tensión de sujeción VC
12V
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
25A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
6
Temperatura Máxima de Operación
125°C
Altura
1.5mm
Largo
5mm
Certificaciones y estándares
No
Profundidad
4mm
Serie
ITAxxU1
Corriente de Fugas Inversa Máxima
10μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto