Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
Diodo TVS
Configuración de diodo
Ánodo común
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6.51V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Pack
SOIC
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
8
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
300W
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Tensión de sujeción VC
12V
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
25A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125°C
Número de elementos por chip
6
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Ancho
4mm
Altura
1.5mm
Longitud:
5mm
Serie
ITAxxU1
Corriente de fugas inversa máxima
10μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
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5
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Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
Diodo TVS
Configuración de diodo
Ánodo común
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6.51V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Pack
SOIC
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
8
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
300W
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Tensión de sujeción VC
12V
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
25A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125°C
Número de elementos por chip
6
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Ancho
4mm
Altura
1.5mm
Longitud:
5mm
Serie
ITAxxU1
Corriente de fugas inversa máxima
10μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto