Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
75 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
$ 9.370
$ 1.874 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 11.150
$ 2.230,06 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 9.370
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$ 11.150
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 1.874 | $ 9.370 |
| 25 - 45 | $ 1.783 | $ 8.915 |
| 50 - 120 | $ 1.603 | $ 8.015 |
| 125 - 245 | $ 1.443 | $ 7.215 |
| 250+ | $ 1.370 | $ 6.850 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
75 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Datos del producto



