MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics IRF630, VDSS 200 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
9A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
200V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
400mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
75W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
31nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
4.6 mm
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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MOSFET
Tipo de Canal
Type N
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Series
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Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
400mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
75W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
31nC
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Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
4.6 mm
Altura
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Certificaciones y estándares
No
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