MOSFET STMicroelectronics IRF630, VDSS 200 V, ID 9 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 486-0171Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: IRF630
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-160 V

Series

STripFET

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

400 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

75000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

31 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

10.4mm

Profundidad

4.6mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

Altura

9.15mm

Datos del producto

STripFET™ de canal N, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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125 - 245$ 1.508$ 7.540
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Tipo de montaje

Through Hole

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Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

75000 mW

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1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

10.4mm

Profundidad

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Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

Altura

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