MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics IRF630, VDSS 200 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
9A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
200V
Encapsulado
TO-220
Series
STripFET
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
400mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
75W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
31nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
4.6 mm
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 9.370
$ 1.874 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 11.150
$ 2.230,06 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 1.874 | $ 9.370 |
| 25 - 45 | $ 1.783 | $ 8.915 |
| 50 - 120 | $ 1.603 | $ 8.015 |
| 125 - 245 | $ 1.443 | $ 7.215 |
| 250+ | $ 1.370 | $ 6.850 |
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MOSFET
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Corriente continua máxima de drenaje ld
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Encapsulado
TO-220
Series
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Tipo de soporte
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Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
400mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
75W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
31nC
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Temperatura Máxima de Operación
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Ancho
4.6 mm
Altura
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