MOSFET STMicroelectronics IRF630, VDSS 200 V, ID 9 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
75 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
9.15mm
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
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5
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N
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9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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75 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
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Temperatura de Funcionamiento Máxima
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Altura
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