IGBT, GWA40MS120DF4AG, N-Canal, 80 A, 1200 V, TO-247, 3-Pines 1

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±30V
Disipación de Potencia Máxima
536 W
Número de transistores
1
Tipo de Encapsulado
TO-247
Configuración
Single
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
País de Origen
China
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
P.O.A.
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Tubo)
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Brand
STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±30V
Disipación de Potencia Máxima
536 W
Número de transistores
1
Tipo de Encapsulado
TO-247
Configuración
Single
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
País de Origen
China

