
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsConfiguración de diodo
Array
Tipo de producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6.9V
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
QFN
Tensión de corte inversa máxima Vwm
6.3V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
1.1kW
Tensión de sujeción VC
13.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
80A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
0.55mm
Longitud:
1.7mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
1.1mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
200nA
Estándar de automoción
No
Volver a intentar más tarde
$ 856.000
$ 107 Each (On a Reel of 8000) (Sin IVA)
$ 1.018.640
$ 127,33 Each (On a Reel of 8000) (IVA Inc.)
8000
$ 856.000
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$ 1.018.640
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8000
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsConfiguración de diodo
Array
Tipo de producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6.9V
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
QFN
Tensión de corte inversa máxima Vwm
6.3V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
1.1kW
Tensión de sujeción VC
13.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
80A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
0.55mm
Longitud:
1.7mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
1.1mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
200nA
Estándar de automoción
No