Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión mínima de ruptura Vbr
52V
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Encapsulado
R-6
Tensión de corte inversa máxima Vwm
47V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
5kW
Tensión de sujeción VC
108V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
556A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Número de elementos por chip
1
Diámetro
9.1mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
9.1mm
Serie
BZW50
Altura
9.1mm
Longitud
9.1mm
Estándar de automoción
No
Corriente de Fugas Inversa Máxima
5μA
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Cinta)
1
P.O.A.
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1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión mínima de ruptura Vbr
52V
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Encapsulado
R-6
Tensión de corte inversa máxima Vwm
47V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
5kW
Tensión de sujeción VC
108V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
556A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Número de elementos por chip
1
Diámetro
9.1mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
9.1mm
Serie
BZW50
Altura
9.1mm
Longitud
9.1mm
Estándar de automoción
No
Corriente de Fugas Inversa Máxima
5μA
Datos del producto