Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tipo de producto
Diodo TVS
Tensión mínima de ruptura Vbr
200V
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Encapsulado
R-6
Tensión de corte inversa máxima Vwm
180V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
5kW
Tensión de sujeción VC
410V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
146A
Número de elementos por chip
1
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
9.1mm
Serie
BZW50
Altura
9.1mm
Longitud:
9.1mm
Diámetro
9.1mm
Estándar de automoción
No
Corriente de Fugas Inversa Máxima
5μA
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
2
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Cinta)
2
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tipo de producto
Diodo TVS
Tensión mínima de ruptura Vbr
200V
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Encapsulado
R-6
Tensión de corte inversa máxima Vwm
180V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
5kW
Tensión de sujeción VC
410V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
146A
Número de elementos por chip
1
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
9.1mm
Serie
BZW50
Altura
9.1mm
Longitud:
9.1mm
Diámetro
9.1mm
Estándar de automoción
No
Corriente de Fugas Inversa Máxima
5μA
Datos del producto