Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
180000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
9
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
500 V
Tensión Máxima Emisor-Base
7 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
20.3 x 15.9 x 5.3mm
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
180000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
9
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
500 V
Tensión Máxima Emisor-Base
7 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
20.3 x 15.9 x 5.3mm
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.