Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
125 V
Tipo de Encapsulado
ISOTOP
Tipo de Montaje
Panel Mount
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
200 V
Tensión Máxima Emisor-Base
7 V
Conteo de Pines
4
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
9.1 x 38.2 x 25.5mm
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
P.O.A.
Each (In a Tube of 75) (Sin IVA)
75
P.O.A.
Each (In a Tube of 75) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
75
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
125 V
Tipo de Encapsulado
ISOTOP
Tipo de Montaje
Panel Mount
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
200 V
Tensión Máxima Emisor-Base
7 V
Conteo de Pines
4
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
9.1 x 38.2 x 25.5mm
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.


