Transistor bipolar, BUT100, NPN 125 V TO-3, 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor
125 V
Tipo de Encapsulado
TO-3
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Tensión Base Máxima del Colector
200 V
Tensión Máxima Emisor-Base
7 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+200 °C
Dimensiones del Cuerpo
8.7 x 39.5 x 26.2mm
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
P.O.A.
1
P.O.A.
Volver a intentar más tarde
1
Volver a intentar más tarde
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor
125 V
Tipo de Encapsulado
TO-3
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Tensión Base Máxima del Colector
200 V
Tensión Máxima Emisor-Base
7 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+200 °C
Dimensiones del Cuerpo
8.7 x 39.5 x 26.2mm
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos