Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
450 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
850 V
Tensión Máxima Emisor-Base
9 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores de alta tensión, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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$ 1.226
Each (In a Tube of 75) (Sin IVA)
$ 1.458,94
Each (In a Tube of 75) (IVA Incluido)
75
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
75 - 75 | $ 1.226 | $ 91.950 |
150 - 900 | $ 874 | $ 65.550 |
975+ | $ 600 | $ 45.000 |
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
450 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
850 V
Tensión Máxima Emisor-Base
9 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores de alta tensión, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.