Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
Bipolar Transistor
Corriente de colector DC máxima ldc
8A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
450V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Configuración de transistor
Single
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Polaridad del transistor
NPN
Ganancia mínima de corriente DC hFE
12
Tensión Emisor-Base máxima VEBO
12V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Número de pines
3
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud:
10.4mm
Altura
30.6mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Serie
BUL1102E
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Se trata de un transistor de potencia NPN de conmutación rápida de alta tensión fabricado en tecnología Planar multiepitaxial. Utiliza una estructura de emisor celular con terminación de borde planar para mejorar las velocidades de conmutación al tiempo que mantiene un amplio RBSOA.
Gracias a una mayor capa intermedia, tiene una robustez intrínseca que permite al transistor resistir un alto nivel de corriente de colector durante condiciones de avería, sin utilizar la protección TransilTM normalmente necesaria en convertidores típicos para balasto de lámpara.
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$ 82.700
$ 1.654 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 98.413
$ 1.968,26 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 1.654 | $ 82.700 |
| 100 - 200 | $ 1.572 | $ 78.600 |
| 250 - 450 | $ 1.414 | $ 70.700 |
| 500+ | $ 1.406 | $ 70.300 |
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Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
Bipolar Transistor
Corriente de colector DC máxima ldc
8A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
450V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Configuración de transistor
Single
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Polaridad del transistor
NPN
Ganancia mínima de corriente DC hFE
12
Tensión Emisor-Base máxima VEBO
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Número de pines
3
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Longitud:
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Altura
30.6mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Serie
BUL1102E
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No
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Se trata de un transistor de potencia NPN de conmutación rápida de alta tensión fabricado en tecnología Planar multiepitaxial. Utiliza una estructura de emisor celular con terminación de borde planar para mejorar las velocidades de conmutación al tiempo que mantiene un amplio RBSOA.
Gracias a una mayor capa intermedia, tiene una robustez intrínseca que permite al transistor resistir un alto nivel de corriente de colector durante condiciones de avería, sin utilizar la protección TransilTM normalmente necesaria en convertidores típicos para balasto de lámpara.
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